| 专利名称 | 制备钛-锑-碲相变材料的方法及相变存储单元制备方法 | 申请号 | CN201210537558.4 | 专利类型 | 发明专利 | 公开（公告）号 | CN102978588A | 公开（授权）日 | 2013.03.20 | 申请（专利权）人 | 中国科学院上海微系统与信息技术研究所 | 发明（设计）人 | 宋三年;宋志棠;吴良才;饶峰;刘波;朱敏 | 主分类号 | C23C16/44(2006.01)I | IPC主分类号 | C23C16/44(2006.01)I;C23C16/08(2006.01)I;H01L45/00(2006.01)I | 专利有效期 | 制备钛-锑-碲相变材料的方法及相变存储单元制备方法 至制备钛-锑-碲相变材料的方法及相变存储单元制备方法 | 法律状态 | 实质审查的生效 | 说明书摘要 | 本发明提供一种制备钛-锑-碲相变材料的方法及相变存储单元制备方法，包括：1）在基底上引入Sb的前驱体SbCl3脉冲，清洗未被吸收的的SbCl3，然后引入Te的前驱体(R3Si)2Te脉冲，清洗未被吸收的(R3Si)2Te和反应副产物；2）向上述基底引入Ti的前驱体TiCl4脉冲，清洗残余的TiCl4，然后引入Te的前驱体(R3Si)2Te脉冲，清洗残余(R3Si)2Te和反应副产物；3）向上述基底引入Sb的前驱体SbCl3脉冲，清洗残余的SbCl3，然后引入Sb的前驱体(R3Si)3Sb脉冲，清洗未被吸收的(R3Si)3Sb和反应副产物。采用本发明方法制备的钛-锑-碲相变材料具有厚度精确可控，薄膜致密性好，填孔能力强的特点。采用这种方法制备的相变薄膜应用到存储器中，可实现高密度存储，同时可以获得低功耗的器件。 |
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