| 专利名称 | 基于免等离子工艺降低暗电流的光电探测器芯片制作方法 | 申请号 | CN201310013303.2 | 专利类型 | 发明专利 | 公开（公告）号 | CN103078009A | 公开（授权）日 | 2013.05.01 | 申请（专利权）人 | 中国科学院上海微系统与信息技术研究所 | 发明（设计）人 | 张永刚;顾溢;李好斯白音 | 主分类号 | H01L31/18(2006.01)I | IPC主分类号 | H01L31/18(2006.01)I | 专利有效期 | 基于免等离子工艺降低暗电流的光电探测器芯片制作方法 至基于免等离子工艺降低暗电流的光电探测器芯片制作方法 | 法律状态 | 实质审查的生效 | 说明书摘要 | 本发明涉及一种光电探测器芯片制作方法，采用湿法刻蚀隔离成型工艺取代现有的化合物半导体光电探测器芯片加工中干法刻蚀隔离成型工艺；采用以双苯基环丁烯钝化工艺取代现有的化合物半导体光电光电探测器芯片加工中化学气相沉积钝化工艺。本发明旨在最大限度地降低光电探测器制作中由于加工工艺引入的附加暗电流。 |
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