| 专利名称 | 包含纳米结构抗反膜的晶体硅太阳能电池及其制备方法 | 申请号 | CN201310029855.2 | 专利类型 | 发明专利 | 公开（公告）号 | CN103035752A | 公开（授权）日 | 2013.04.10 | 申请（专利权）人 | 中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所 | 发明（设计）人 | 张宇翔;朱煜;黄寓洋;宋贺伦;张耀辉 | 主分类号 | H01L31/0216(2006.01)I | IPC主分类号 | H01L31/0216(2006.01)I;H01L31/04(2006.01)I;H01L31/18(2006.01)I | 专利有效期 | 包含纳米结构抗反膜的晶体硅太阳能电池及其制备方法 至包含纳米结构抗反膜的晶体硅太阳能电池及其制备方法 | 法律状态 | 实质审查的生效 | 说明书摘要 | 一种包含纳米结构抗反膜的晶体硅太阳能电池，包括自下而上的金属背场与背电极、单晶硅基体、PN结有源层、抗反膜、及栅电极，其特征在于，所述抗反膜有若干层，自下而上的抗反膜的折射率逐渐减小。其制备方法是采用斜角入射物理沉积法，通过调整入射角度和沉积材料，生成多层折射率不同的抗反膜。本发明大大优化了硅太阳能电池的光吸收，从而提高了电池效率。这种方法不会损伤硅晶体本身的光伏特性，能够真正将多吸收的光转化为电能。提高光转化效率，将极大地推动太阳能电池产品的发展。 |
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