| 专利名称 | 一种双平面型开放式磁共振成像超导磁体系统 | 申请号 | CN201210548653.4 | 专利类型 | 发明专利 | 公开（公告）号 | CN103035352A | 公开（授权）日 | 2013.04.10 | 申请（专利权）人 | 中国科学院电工研究所 | 发明（设计）人 | 倪志鹏;李兰凯;王秋良;严陆光;王晖;许建益 | 主分类号 | H01F6/00(2006.01)I | IPC主分类号 | H01F6/00(2006.01)I;H01F6/04(2006.01)I;H01F6/06(2006.01)I;G01R33/3815(2006.01)I | 专利有效期 | 一种双平面型开放式磁共振成像超导磁体系统 至一种双平面型开放式磁共振成像超导磁体系统 | 法律状态 | 实质审查的生效 | 说明书摘要 | 一种双平面型开放式磁共振成像超导磁体系统，其上、下低温容器（1、2）内均安装有所述的超导主线圈（6）和超导屏蔽线圈（7）。超导主线圈（6）和超导屏蔽线圈（7）关于两个低温容器的中心对称平面（3）对称布置。上、下低温容器（1、2）中，靠近中心对称平面（3）的真空容器（14）的表面开有阶梯式凹槽（22），磁场矫正铁环（15）、匀场铁片（16）、室温匀场线圈（17）、梯度线圈（18）和射频线圈（19）安装在所述的凹槽（22）内；上、下低温容器（1、2）远离中心对称平面的真空容器（14）的表面的凹槽（23）中装有匀场铁片（16）；上低温容器（1）远离中心对称平面的真空容器（14）的表面的凹槽（23）中心位置处安装制冷机（20）。 |
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