| 专利名称 | 用于神经细胞多参数检测的微电极阵列芯片及制备方法 | 申请号 | CN201110304586.7 | 专利类型 | 发明专利 | 公开（公告）号 | CN103031246A | 公开（授权）日 | 2013.04.10 | 申请（专利权）人 | 中国科学院电子学研究所 | 发明（设计）人 | 周帅;蔡新霞;宋轶琳;刘春秀;林楠森 | 主分类号 | C12M1/34(2006.01)I | IPC主分类号 | C12M1/34(2006.01)I;G01N27/333(2006.01)I | 专利有效期 | 用于神经细胞多参数检测的微电极阵列芯片及制备方法 至用于神经细胞多参数检测的微电极阵列芯片及制备方法 | 法律状态 | 实质审查的生效 | 说明书摘要 | 本发明公开了一种用于神经细胞多参数检测的微电极阵列芯片及制备方法，涉及传感器技术，该芯片由绝缘基底、微电极阵列、对电极、参比电极、电极引线及触点、表面绝缘层和修饰材料七个部分构成。电极本身采用微机电系统(MEMS)工艺加工制备，并在其表面定点修饰特定的纳米复合材料和酶。在经过修饰的工作电极表面培养神经细胞，结合对电极与参比电极，可用于同时实时的检测神经细胞电生理信号和多巴胺、乙酰胆碱等神经递质的电化学信号，并兼有对神经细胞施加电刺激的功能。本发明芯片功能集成化，材料修饰定点，使用方便，适合实验室开展神经细胞培养及其多种参数检测的相关研究。 |
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