| 专利名称 | 并吡咯二酮-噻吩醌化合物及其制备方法与应用 | 申请号 | CN201110306463.7 | 专利类型 | 发明专利 | 公开（公告）号 | CN103044430A | 公开（授权）日 | 2013.04.17 | 申请（专利权）人 | 中国科学院化学研究所 | 发明（设计）人 | 乔雅丽;张敬;徐伟;朱道本 | 主分类号 | C07D487/04(2006.01)I | IPC主分类号 | C07D487/04(2006.01)I;H01L51/30(2006.01)I | 专利有效期 | 并吡咯二酮-噻吩醌化合物及其制备方法与应用 至并吡咯二酮-噻吩醌化合物及其制备方法与应用 | 法律状态 | 实质审查的生效 | 说明书摘要 | 本发明公开了一种并吡咯二酮-噻吩醌化合物及其制备方法与应用。该并吡咯二酮-噻吩醌化合物如式I所示。其制备方法包括如下步骤：在四(三苯基磷)钯(0)(Pd(PPh3)4)的催化作用下，将氢化钠、式II所示α-溴取代并吡咯二酮-噻吩寡聚物与丙二腈化钠盐混匀进行亲核取代反应生成二负离子中间体后，再向反应体系中加入饱和溴水进行氧化反应，反应完毕得到所述式I所示化合物。该类化合物具有优良的场效应性能，其电子迁移率已经超过0.1cm2V-1s-1(基于实施例1中材料(a)由真空蒸镀法制备半导体层的场效应器件电子迁移率可以高达0.3cm2V-1s-1；基于实施例2中材料(b)由旋涂法制备半导体层的场效应器件电子迁移率可以高达0.35cm2V-1s-1)。其电流开关比达105，且在空气中性质稳定，具有重要的应用价值。 |
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