| 专利名称 | 一种开放式自屏蔽磁共振成像分裂式超导磁体系统 | 申请号 | CN201310007021.1 | 专利类型 | 发明专利 | 公开（公告）号 | CN103050212A | 公开（授权）日 | 2013.04.17 | 申请（专利权）人 | 中国科学院电工研究所 | 发明（设计）人 | 倪志鹏;王秋良;严陆光 | 主分类号 | H01F6/00(2006.01)I | IPC主分类号 | H01F6/00(2006.01)I;H01F6/04(2006.01)I;H01F6/06(2006.01)I;G01R33/3815(2006.01)I | 专利有效期 | 一种开放式自屏蔽磁共振成像分裂式超导磁体系统 至一种开放式自屏蔽磁共振成像分裂式超导磁体系统 | 法律状态 | 实质审查的生效 | 说明书摘要 | 一种开放式自屏蔽磁共振成像分裂式超导磁体系统。所述的超导磁体系统中，超导主线圈、超导矫正线圈(4)和超导屏蔽线圈(5)安装在左低温容器(1)和右低温容器(2)中；分裂式匀场铁片(11)、分裂式室温匀场线圈(12)、分裂式梯度线圈(13)安装在超导磁体系统的室温孔内关于对称平面正对称的三个圆柱面上。超导主线圈、超导矫正线圈(4)和超导屏蔽线圈(5)共同产生中心磁场强度为0.7T的磁场，并在中心直径为50cm的球形成像区域(15)内产生磁场峰峰值不均匀度为10ppm的磁场分布，5高斯杂散场在轴向和径向方向分别限制在3.5m和4.0m椭球范围内。 |
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