| 专利名称 | 用于相变存储器的Ga-Ge-Sb-Te薄膜材料 | 申请号 | CN201310025243.6 | 专利类型 | 发明专利 | 公开（公告）号 | CN103050624A | 公开（授权）日 | 2013.04.17 | 申请（专利权）人 | 中国科学院上海微系统与信息技术研究所 | 发明（设计）人 | 张中华;宋三年;宋志棠;吕叶刚 | 主分类号 | H01L45/00(2006.01)I | IPC主分类号 | H01L45/00(2006.01)I;C22C12/00(2006.01)I | 专利有效期 | 用于相变存储器的Ga-Ge-Sb-Te薄膜材料 至用于相变存储器的Ga-Ge-Sb-Te薄膜材料 | 法律状态 | 实质审查的生效 | 说明书摘要 |
本发明提供一种用于相变存储器的Ga-Ge-Sb-Te薄膜材料。该Ga-Ge-Sb-Te薄膜材料的通式为GaxGeySbzTew，其中0 |
1、源头对接，价格透明
2、平台验证，实名审核
3、合同监控，代办手续
4、专员跟进，交易保障