| 专利名称 | 一种制备单晶Bi2Se3纳米结构的方法 | 申请号 | CN201110310282.1 | 专利类型 | 发明专利 | 公开（公告）号 | CN103046110A | 公开（授权）日 | 2013.04.17 | 申请（专利权）人 | 国家纳米科学中心 | 发明（设计）人 | 唐皓颖;江鹏;王中林 | 主分类号 | C30B1/10(2006.01)I | IPC主分类号 | C30B1/10(2006.01)I;C30B29/46(2006.01)I;B82Y40/00(2011.01)I;B82Y30/00(2011.01)I | 专利有效期 | 一种制备单晶Bi2Se3纳米结构的方法 至一种制备单晶Bi2Se3纳米结构的方法 | 法律状态 | 实质审查的生效 | 说明书摘要 | 本发明提供了一种制备单晶Bi2Se3纳米结构的方法，所述Bi2Se3纳米结构包括纳米带和纳米片，Bi2Se3纳米带的宽度为50nm～4μm，长度为1～200μm，Bi2Se3纳米片的直径为50nm～20μm。本发明采用高温热蒸发和气相传输的方法，以Bi粉和Se粉或Bi2Se3粉末为原料，在高温扩散炉中进行热蒸发，在衬底上获得Bi2Se3纳米结构。本发明的获得Bi2Se3纳米结构为高质量的单晶材料，合成过程不使用催化剂，避免了引入外来杂质对材料性质的影响，简单易行，重复性好，原料和衬底易得，制备成本低廉。 |
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