一种铝栅CMP协同计算模型的仿真及优化方法

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专利名称 一种铝栅CMP协同计算模型的仿真及优化方法 申请号 CN201210581845.5 专利类型 发明专利 公开(公告)号 CN103020383A 公开(授权)日 2013.04.03 申请(专利权)人 中国科学院微电子研究所 发明(设计)人 徐勤志;陈岚;方晶晶 主分类号 G06F17/50(2006.01)I IPC主分类号 G06F17/50(2006.01)I 专利有效期 一种铝栅CMP协同计算模型的仿真及优化方法 至一种铝栅CMP协同计算模型的仿真及优化方法 法律状态 实质审查的生效 说明书摘要 本发明提供了一种铝栅CMP协同计算模型的仿真及优化方法,其仿真步骤包括:获取铝栅初始高度;依据所述铝栅初始高度,采用铝栅CMP压力分布精确计算模型获取研磨垫和铝栅表面间的压力分布;向铝栅CMP协同计算模型中输入至少包括获得所述研磨垫和铝栅表面间的压力分布的模型参数,其中,所述铝栅CMP协同计算模型由所述铝栅CMP压力分布精确计算模型和铝栅CMP化学反应动力学模型确定;采用所述铝栅CMP协同计算模型并依据所述模型参数进行预定时间段的仿真,得到所述铝栅研磨后的高度。该仿真方法从本质上揭示出铝栅CMP的工作原理,得到的仿真结果更接近实际,更加准确。此外,该优化方法可辅助工艺快速优化工艺参数。

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