| 专利名称 | 一种平面结构铟镓砷阵列红外探测器 | 申请号 | CN200910049111.0 | 专利类型 | 发明专利 | 公开（公告）号 | CN101527308 | 公开（授权）日 | 2009.09.09 | 申请（专利权）人 | 中国科学院上海技术物理研究所 | 发明（设计）人 | 李永富;龚海梅;李雪;唐恒敬;张可锋;李淘;宁锦华;张燕;朱耀明;姜佩璐 | 主分类号 | H01L27/144(2006.01)I | IPC主分类号 | H01L27/144(2006.01)I;H01L31/109(2006.01)I;H01L31/02(2006.01)I | 专利有效期 | 一种平面结构铟镓砷阵列红外探测器 至一种平面结构铟镓砷阵列红外探测器 | 法律状态 | 实质审查的生效 | 说明书摘要 | 本发明公开了一种新型平面结构InGaAs阵列红外探测器。红外探测器结 构设计为：在NIN型外延片上通过刻蚀在阵列光敏面周围形成浅隔离槽。通 过闭管扩散形成光敏面的PN结区，同时形成与浅隔离槽一体的保护环。通过 加厚Cr/Au形成保护环电极及环形遮盖电极。本发明的优点在于一体设计的浅 隔离槽与保护环可有效地抑制阵列器件相邻光敏面之间的串音和光敏面扩大 现象，辅以小扩散孔及环形遮盖电极能进一步抑制光敏面的扩大并对光敏面进 行精确定义。在平面型延伸波长InGaAs阵列器件中，浅隔离槽的引入还可以 有效抑制由于材料的晶格失配造成的相邻光敏面P电极间的漏电流。 |
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