| 专利名称 | 一种半导体材料特性的测量装置及测量方法 | 申请号 | CN200910081523.2 | 专利类型 | 发明专利 | 公开（公告）号 | CN101527273 | 公开（授权）日 | 2009.09.09 | 申请（专利权）人 | 中国科学院光电技术研究所 | 发明（设计）人 | 李斌成;刘显明;黄秋萍;韩艳玲 | 主分类号 | H01L21/66(2006.01)I | IPC主分类号 | H01L21/66(2006.01)I;G01N21/64(2006.01)I;G01N21/59(2006.01)I;G01N21/55(2006.01)I | 专利有效期 | 一种半导体材料特性的测量装置及测量方法 至一种半导体材料特性的测量装置及测量方法 | 法律状态 | 实质审查的生效 | 说明书摘要 | 本发明公开了一种半导体材料特性的测量装置及方法，用于测量半导体材料的特性 参数以及对材料加工品质的评价，在测试系统中仅由一束激发光和一束探测光来，可同 时或分别取得样品的光载流子辐射测量信号、自由载流子吸收测量信号以及光调制反射 测量信号，通过同时或分别分析处理光载流子辐射、自由载流子吸收和光调制反射信号 数据，可得到半导体材料的特性参数；通过与标准或标定样品信号数据比较，可测量半 导体材料加工时引入的杂质浓度和缺陷浓度等参数。 |
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