| 专利名称 | 一种半导体器件 | 申请号 | CN201090000827.8 | 专利类型 | 实用新型 | 公开（公告）号 | CN202839549U | 公开（授权）日 | 2013.03.27 | 申请（专利权）人 | 中国科学院微电子研究所 | 发明（设计）人 | 尹海洲;骆志炯;朱慧珑 | 主分类号 | H01L21/28(2006.01)I | IPC主分类号 | H01L21/28(2006.01)I;H01L29/41(2006.01)I | 专利有效期 | 一种半导体器件 至一种半导体器件 | 法律状态 | 说明书摘要 | 提供了一种半导体器件。该半导体器件包括：半导体衬底(1001)；在半导体衬底上的栅极、栅极两侧的侧墙、和源区/漏区；位于源区/漏区上的下接触部，下接触部与侧墙的外壁近邻，且底部覆盖源区/漏区的至少一部分，同一晶体管的源区/漏区之间通过层间介质层隔离；形成在栅极、侧墙、源区/漏区和下接触部上的层间介质层，和在层间介质层中形成的与下接触部相对应的上接触部(1013)。还提供了半导体器件的制造方法，该方法适用于制造半导体器件的接触部。 |
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