| 专利名称 | 一种高压半导体器件及其终端 | 申请号 | CN201220505060.5 | 专利类型 | 实用新型 | 公开（公告）号 | CN202839619U | 公开（授权）日 | 2013.03.27 | 申请（专利权）人 | 中国科学院微电子研究所;江苏中科君芯科技有限公司;江苏物联网研究发展中心 | 发明（设计）人 | 褚为利;朱阳军;田晓丽;胡爱斌 | 主分类号 | H01L29/06(2006.01)I | IPC主分类号 | H01L29/06(2006.01)I | 专利有效期 | 一种高压半导体器件及其终端 至一种高压半导体器件及其终端 | 法律状态 | 说明书摘要 | 本实用新型公开了一种高压半导体器件及其终端，该高压半导体器件终端包括：基底，所述基底包括本体层；场限环，位于所述基底表面内；所述场限环为三层掺杂区结构，其中，第一掺杂区位于本体层表面内，与第一掺杂区掺杂类型相反的第二掺杂区包围第一掺杂区，与所属第一掺杂区掺杂类型相同的第三掺杂区包围第二掺杂区，且第一掺杂区的掺杂浓度大于第二掺杂区的掺杂浓度，第三掺杂区的掺杂浓度介于第二掺杂区和本体层之间。本实用新型实施例的三层掺杂区构成的场限环，提高了高压半导体器件的耐压能力，同时降低了高压半导体器件的终端面积，节省了器件的制作成本。 |
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