| 专利名称 | 一种锗硅异质结隧穿场效应晶体管及其制备方法 | 申请号 | CN201110279693.9 | 专利类型 | 发明专利 | 公开（公告）号 | CN103021848A | 公开（授权）日 | 2013.04.03 | 申请（专利权）人 | 中国科学院上海微系统与信息技术研究所 | 发明（设计）人 | 卞剑涛;薛忠营;狄增峰;张苗 | 主分类号 | H01L21/336(2006.01)I | IPC主分类号 | H01L21/336(2006.01)I;H01L29/78(2006.01)I;H01L29/06(2006.01)I;H01L29/165(2006.01)I | 专利有效期 | 一种锗硅异质结隧穿场效应晶体管及其制备方法 至一种锗硅异质结隧穿场效应晶体管及其制备方法 | 法律状态 | 实质审查的生效 | 说明书摘要 | 本发明提供一种锗硅异质结隧穿场效应晶体管及其制备方法，在SiGe或Ge区制作器件的源区，Si区制作器件的漏区，获得高ON电流的同时保证了低OFF电流，采用局部锗氧化浓缩技术实现局部高锗组份的SGOI或GOI，在局部高锗组份的SGOI或GOI中，锗组份从50%~100%可控，并且，薄膜厚度可控制在5~20nm，易于器件工艺实现。SiGe或Ge与Si在氧化浓缩过程中，它们之间形成了一个锗组份渐变的锗硅异质结结构，消除缺陷的产生。本发明的制备方法工艺简单，与CMOS工艺兼容，适用于大规模的工业生产。 |
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