| 专利名称 | 利用激光直写制备三维中空微纳米功能结构的方法 | 申请号 | CN201210541023.4 | 专利类型 | 发明专利 | 公开（公告）号 | CN103011058A | 公开（授权）日 | 2013.04.03 | 申请（专利权）人 | 中国科学院物理研究所 | 发明（设计）人 | 顾长志;牟佳佳;李家方;李无瑕;姜倩晴 | 主分类号 | B81C1/00(2006.01)I | IPC主分类号 | B81C1/00(2006.01)I;G03F7/00(2006.01)I | 专利有效期 | 利用激光直写制备三维中空微纳米功能结构的方法 至利用激光直写制备三维中空微纳米功能结构的方法 | 法律状态 | 实质审查的生效 | 说明书摘要 | 本发明是一种利用激光直写制备三维中空微纳米功能结构的方法，通过表面功能化，获得三维微纳米功能结构的方法，其步骤包括：镂空衬底的选取与处理；镂空衬底在载物支撑基底上的放置；镂空衬底的载物支撑基底上光刻胶的滴定；激光直写光刻胶聚合物三维中空微纳米结构的制备；光刻胶聚合物三维中空微纳米结构的表面功能化；三维中空微纳米功能结构的修饰与处理，从而得到成品。本发明是一种基于双光子聚合作用在镂空衬底上制备各种高度、边长以及截面几何形状的光刻胶聚合物中空三维微纳米结构，然后通过功能化材料的生长与修饰处理，实现光刻胶聚合物中空三维微纳米结构的功能化，具任意复杂图形的批量、可重复、可设计、可控制备的特点。 |
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