| 专利名称 | 一种金属氮化物阻挡层的制备方法 | 申请号 | CN201110285513.8 | 专利类型 | 发明专利 | 公开（公告）号 | CN103021931A | 公开（授权）日 | 2013.04.03 | 申请（专利权）人 | 北京泰龙电子技术有限公司;中国科学院微电子研究所 | 发明（设计）人 | 王文东;夏洋;李超波;李勇滔;刘训春 | 主分类号 | H01L21/768(2006.01)I | IPC主分类号 | H01L21/768(2006.01)I | 专利有效期 | 一种金属氮化物阻挡层的制备方法 至一种金属氮化物阻挡层的制备方法 | 法律状态 | 实质审查的生效 | 说明书摘要 | 本发明公开了一种金属氮化物阻挡层的制备方法，属于半导体器件制造技术领域。所述金属氮化物阻挡层采用物理气相沉积方法制备，在沉积金属层时，物理气相沉积设备上的离子源产生氮离子束，向金属层中注入氮离子。本发明采用等离子体辅助的物理气相沉积的制备方法提高阻挡层的致密性，同时也保证其为非晶结构，非晶不存在晶界这样的可供快速扩散的通道，是理想的阻挡层结构。 |
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