| 专利名称 | 一种对互连结构进行电容提取的方法 | 申请号 | CN201210576410.1 | 专利类型 | 发明专利 | 公开（公告）号 | CN103020379A | 公开（授权）日 | 2013.04.03 | 申请（专利权）人 | 中国科学院微电子研究所 | 发明（设计）人 | 陈岚;马天宇;叶甜春 | 主分类号 | G06F17/50(2006.01)I | IPC主分类号 | G06F17/50(2006.01)I | 专利有效期 | 一种对互连结构进行电容提取的方法 至一种对互连结构进行电容提取的方法 | 法律状态 | 实质审查的生效 | 说明书摘要 | 本发明提供一种对互连结构进行电容提取的方法，应用于一导体，导体表面包括多个三角形边界元；每一个三角形边界元中设置至少一个变动点，包括：获取各个三角形边界元的变动点坐标；在每个变动点上设置一个独立随机变量和一个非独立随机变量，独立随机变量表示垂直于变动点所在表面的第一方向的变动，非独立随机变量表示第二方向的变动传递到变动点的力；将各个独立随机变量和非独立随机变量加入对应的变动点坐标中，形成一等效导体表面；计算等效导体表面的等效电容。对导体表面使用三角形边界元进行离散，基本上不增加随机变量的数目；能够及时的反应导体表面的变动，电容提取也能够准确反映变动电容的真实特征。 |
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