| 专利名称 | SRAM单元及其制作方法 | 申请号 | CN201110281517.9 | 专利类型 | 发明专利 | 公开（公告）号 | CN103022038A | 公开（授权）日 | 2013.04.03 | 申请（专利权）人 | 中国科学院微电子研究所 | 发明（设计）人 | 朱慧珑;梁擎擎 | 主分类号 | H01L27/11(2006.01)I | IPC主分类号 | H01L27/11(2006.01)I;H01L21/8244(2006.01)I | 专利有效期 | SRAM单元及其制作方法 至SRAM单元及其制作方法 | 法律状态 | 实质审查的生效 | 说明书摘要 | 本申请公开了一种SRAM单元及其制作方法。该SRAM单元包括：衬底；以及在衬底上形成的第一鳍式场效应晶体管(FinFET)和第二FinFET，其中所述第一FinFET包括在衬底上设置的半导体层中接于半导体层形成的第一鳍片，所述第二FinFET包括在所述半导体层中接于半导体层形成的第二鳍片，所述半导体层包括多个半导体子层，其中所述第一鳍片和所述第二鳍片分别包括不同数目的半导体子层，且具有不同的高度。 |
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