| 专利名称 | 防止钝化层过刻蚀的方法 | 申请号 | CN201110284796.4 | 专利类型 | 发明专利 | 公开（公告）号 | CN103021840A | 公开（授权）日 | 2013.04.03 | 申请（专利权）人 | 中国科学院微电子研究所 | 发明（设计）人 | 李博;申华军;白云;汤益丹;刘焕明;周静涛;杨成樾;刘新宇 | 主分类号 | H01L21/311(2006.01)I | IPC主分类号 | H01L21/311(2006.01)I | 专利有效期 | 防止钝化层过刻蚀的方法 至防止钝化层过刻蚀的方法 | 法律状态 | 实质审查的生效 | 说明书摘要 | 本发明公开了防止钝化层过刻蚀的方法。该方法包括：步骤A，在衬底上制备两层致密性不同的钝化层，靠近衬底侧的钝化层为致密钝化层，远离衬底侧的钝化层为疏松钝化层；步骤B，在钝化层上旋涂光刻胶，按照预设的元件模板对光刻胶进行曝光和显影；步骤C，以衬底上曝光、显影后剩余的光刻胶为掩膜，对疏松钝化层进行干法刻蚀；步骤D，以衬底上曝光、显影后剩余的光刻胶为掩膜，对致密钝化层进行湿法刻蚀。本发明通过生长两层致密性不同的SiO2层，结合湿法刻蚀和干法刻蚀两者的优点分别对上述两层致密性不同的SiO2层分别进行刻蚀，不仅避免了底层SiC的过刻蚀，并且保证了刻蚀质量。 |
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