| 专利名称 | 铝栅CMP化学反应动力学仿真及版图设计优化方法 | 申请号 | CN201210581850.6 | 专利类型 | 发明专利 | 公开（公告）号 | CN103020384A | 公开（授权）日 | 2013.04.03 | 申请（专利权）人 | 中国科学院微电子研究所 | 发明（设计）人 | 徐勤志;陈岚 | 主分类号 | G06F17/50(2006.01)I | IPC主分类号 | G06F17/50(2006.01)I | 专利有效期 | 铝栅CMP化学反应动力学仿真及版图设计优化方法 至铝栅CMP化学反应动力学仿真及版图设计优化方法 | 法律状态 | 实质审查的生效 | 说明书摘要 | 本发明提供了一种铝栅CMP化学反应动力学仿真方法及版图设计优化方法。所述铝栅CMP化学反应动力学仿真方法，包括：基于铝栅CMP化学反应动力学模型，优化铝栅CMP的研磨液中各组分浓度；基于所述铝栅CMP化学反应动力学模型和优化后的所述铝栅CMP的研磨液中各组分浓度，对铝栅进行预定时间段的仿真，预测铝栅表面高度的变化量；基于预测得到的所述铝栅表面高度的变化量，获取铝栅表面的仿真金属碟形值和仿真介质侵蚀值。该仿真方法的基础模型从化学反应机理上对HKMG工艺中的铝栅CMP进行了合理解释和表面高度实时仿真，从本质上揭示出了铝栅CMP的工作原理。 |
1、源头对接，价格透明
2、平台验证，实名审核
3、合同监控，代办手续
4、专员跟进，交易保障