| 专利名称 | 乙烯双键桥连NDI基共轭聚合物及其制备方法与应用 | 申请号 | CN201210544285.6 | 专利类型 | 发明专利 | 公开（公告）号 | CN103012755A | 公开（授权）日 | 2013.04.03 | 申请（专利权）人 | 中国科学院化学研究所 | 发明（设计）人 | 于贵;陈华杰;郭云龙;黄剑耀;刘云圻 | 主分类号 | C08G61/12(2006.01)I | IPC主分类号 | C08G61/12(2006.01)I;H01L51/30(2006.01)I | 专利有效期 | 乙烯双键桥连NDI基共轭聚合物及其制备方法与应用 至乙烯双键桥连NDI基共轭聚合物及其制备方法与应用 | 法律状态 | 实质审查的生效 | 说明书摘要 | 本发明公开了一种乙烯双键桥连NDI基共轭聚合物及其制备方法与应用。该聚合物如式I所示。本发明提供的聚合路线简单高效、原料供应广泛、合成成本低，具有很好普适性和高的重复性等优点，可以推广应用到其他各种取代基的乙烯-NDI大π共聚物的合成。以本发明以此类聚合物半导体材料作为活性层制备的FETs展现出良好的双极性特征，其最大电子和空穴迁移率分别达到0.73和0.12cm2/V·s，展现出了这类聚合物材料在FETs中有优良的应用潜质。 |
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