| 专利名称 | 一种纳米复合相变材料及其制备方法 | 申请号 | CN200910048204.1 | 专利类型 | 发明专利 | 公开（公告）号 | CN101521260 | 公开（授权）日 | 2009.09.02 | 申请（专利权）人 | 中国科学院上海微系统与信息技术研究所 | 发明（设计）人 | 宋三年;宋志棠;万旭东;谢志峰;封松林 | 主分类号 | H01L45/00(2006.01)I | IPC主分类号 | H01L45/00(2006.01)I;C23C14/34(2006.01)I;C23C14/14(2006.01)I;C23C14/08(2006.01)I | 专利有效期 | 一种纳米复合相变材料及其制备方法 至一种纳米复合相变材料及其制备方法 | 法律状态 | 实质审查的生效 | 说明书摘要 | 本发明是关于一种新型纳米复合相变材料及其制备方法。纳米复合相变材料特征在于相 变材料与铁电材料的复合，铁电材料将相变材料分隔成形状和大小可控的、均匀的、纳米尺 寸的区域，从而把相变材料的相变限制在小区域内，同时因为铁电材料具有较好的介电和绝 热性能，它的存在增强了复合材料的介电特性与抗击穿能力，抑制了相变材料晶粒的长大， 提升了材料的电阻率，又增加了材料的热容。这种新型纳米复合相变材料应用到存储器中， 有利于实现高密度存储，提高了相变存储器的编程过程中的加热效率，降低了其功耗，提高 了存储速率，提升了数据保持能力、疲劳特性和抗辐照能力等。 |
1、源头对接，价格透明
2、平台验证，实名审核
3、合同监控，代办手续
4、专员跟进，交易保障