| 专利名称 | 一种单电子存储器的制备方法 | 申请号 | CN200910080195.4 | 专利类型 | 发明专利 | 公开（公告）号 | CN101521181 | 公开（授权）日 | 2009.09.02 | 申请（专利权）人 | 中国科学院微电子研究所 | 发明（设计）人 | 贾锐;李维龙;陈晨;朱晨昕;李昊峰;张培文;刘明 | 主分类号 | H01L21/8239(2006.01)I | IPC主分类号 | H01L21/8239(2006.01)I | 专利有效期 | 一种单电子存储器的制备方法 至一种单电子存储器的制备方法 | 法律状态 | 授权 | 说明书摘要 | 本发明涉及纳米器件制作技术领域的一种单电子存储器的制备方法。为了 解决现有单电子存储器制备技术中工艺步骤复杂的缺点，本发明的目的在于提 供一种单电子存储器的制备方法，采用电子束光刻技术和刻蚀技术制作电极图 形和导电沟道，通过光学光刻和剥离方式制作源、漏接触电极，通过电子束蒸 发手段制备薄层硅，然后通过快速热退火技术将表面的薄层硅制作成硅量子 点，最后通过剥离工艺制作栅电极。本发明工艺步骤简单，能与传统的微电子 工艺兼容。使用本发明方法制备的单电子存储器具有很大的一致性，且操作电 压低、功耗小。 |
1、源头对接，价格透明
2、平台验证，实名审核
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