| 专利名称 | 以单壁碳纳米管为电极的横向相变存储器的制备方法 | 申请号 | CN200910045816.5 | 专利类型 | 发明专利 | 公开（公告）号 | CN101521177 | 公开（授权）日 | 2009.09.02 | 申请（专利权）人 | 中国科学院上海微系统与信息技术研究所 | 发明（设计）人 | 宋志棠;吕士龙 | 主分类号 | H01L21/822(2006.01)I | IPC主分类号 | H01L21/822(2006.01)I;H01L21/28(2006.01)I;B82B3/00(2006.01)I;H01L45/00(2006.01)I;G11C11/56(2006.01)I | 专利有效期 | 以单壁碳纳米管为电极的横向相变存储器的制备方法 至以单壁碳纳米管为电极的横向相变存储器的制备方法 | 法律状态 | 实质审查的生效 | 说明书摘要 | 一种以单壁碳纳米管为电极的横向相变存储器的制备方法，其首先清洗半导体衬底以去 除其表面的污物，然后采用化学气相沉积法在衬底表面沉积介质层，再采用化学气相沉积法 在介质层上制备横向的单壁碳纳米管阵列，接着采用聚焦离子束沉积法沉积用于光刻的多个 对准标记及与各碳纳米管相接触的接触电极，接着采用电子束光刻结合反应离子刻蚀法刻蚀 碳纳米管以形成电极对阵列，并根据所形成的各对准标记，采用磁控溅射法及电子光刻技术 在各电极对之间被刻蚀掉的碳纳米管处沉积相变材料，接着再采用离子束沉积法及电子束光 刻法在已沉积相变材料的结构上沉积绝热保护区，以及制备各测试电极，由此形成低功耗的 横向相变存储器。 |
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