| 专利名称 | 一种平面型半导体热电芯片及制备方法 | 申请号 | CN201110296180.9 | 专利类型 | 发明专利 | 公开（公告）号 | CN103035833A | 公开（授权）日 | 2013.04.10 | 申请（专利权）人 | 中国科学院上海微系统与信息技术研究所 | 发明（设计）人 | 李铁;俞骁;王跃林 | 主分类号 | H01L35/34(2006.01)I | IPC主分类号 | H01L35/34(2006.01)I;H01L35/32(2006.01)I | 专利有效期 | 一种平面型半导体热电芯片及制备方法 至一种平面型半导体热电芯片及制备方法 | 法律状态 | 实质审查的生效 | 说明书摘要 | 本发明涉及一种平面型半导体热电芯片及制备方法，该方法包括：制备包括两端完全隔离的导热层（100）、位于导热层上的绝缘层（200）以及位于绝缘层上的发电层（300）的硅片，发电层包括热电偶对（302）及连接热电偶对的金属引线及电极（301）；制备设有凹部并采用绝热材料的支撑层（400）；将支撑层（400）与所述硅片键合，并且键合后对硅片背面进行减薄抛光；释放热电偶对（302），导热层的两端通过该热电偶对桥接。本发明极大的提高了单个平面型半导体热电发电芯片内的热电偶对数量和温差利用率，从而实现平面型半导体热电发电芯片高电压、大功率输出。本发明工艺简单，成本低廉，可实现批量化制作，具有应用前景。 |
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