| 专利名称 | 一种低温共烧陶瓷LED基板结构 | 申请号 | CN201120257203.0 | 专利类型 | 实用新型 | 公开（公告）号 | CN202159709U | 公开（授权）日 | 2012.03.07 | 申请（专利权）人 | 中国科学院上海硅酸盐研究所 | 发明（设计）人 | 刘志甫;马名生;李永祥 | 主分类号 | H01L33/64(2010.01)I | IPC主分类号 | H01L33/64(2010.01)I;H01L33/48(2010.01)I | 专利有效期 | 一种低温共烧陶瓷LED基板结构 至一种低温共烧陶瓷LED基板结构 | 法律状态 | 说明书摘要 | 本实用新型公开了一种低温共烧陶瓷LED基板结构，包括：低温共烧陶瓷基板，固定在基板上的LED芯片，导电金线和设在基板上的正负电极，所述的LED芯片与基板上的正负电极间通过导电金线相连接，在基板的中部纵向设有贯通基板的多根导热柱，在基板内部还横向设有多层导热金属片。本实用新型的LED基板内部由于形成了横纵交错的网络化立体散热结构，因而可实现高效散热，最大限度的降低基板热阻和LED芯片结温，能够有效实现热电分离管理目的，解决现有的低温共烧陶瓷基板散热方向单一的缺陷及现有技术中所存在的LED基板散热差的难题，能够满足大功率LED封装技术的广泛应用要求，可广泛应用于高密度和大功率电子器件封装领域。 |
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