| 专利名称 | 一种原子层沉积设备及其使用方法 | 申请号 | CN201110300843.X | 专利类型 | 发明专利 | 公开（公告）号 | CN103031546A | 公开（授权）日 | 2013.04.10 | 申请（专利权）人 | 中国科学院微电子研究所 | 发明（设计）人 | 王燕;李勇滔;夏洋;赵章琰;石莎莉 | 主分类号 | C23C16/52(2006.01)I | IPC主分类号 | C23C16/52(2006.01)I | 专利有效期 | 一种原子层沉积设备及其使用方法 至一种原子层沉积设备及其使用方法 | 法律状态 | 实质审查的生效 | 说明书摘要 | 本发明涉及半导体制造技术领域，尤其是涉及一种原子层沉积设备。所述原子层沉积设备，包括真空部件、加热部件、气路部件、等离子体产生部件、控制部件和沉积室；所述沉积室内设有膜厚测量模块，所述膜厚测量模块与所述控制部件电连接。本发明还提供一种原子层沉积设备的使用方法。本发明通过采用沉积时间和膜层厚度测量模块，提高了原子层沉积设备的膜厚控制能力，减少设备故障，使得加工出的膜层更加接近所需厚度，有效降低膜层厚度漂移，提高了设备的利用率，且能够满足半导体加工越来越精细化的要求。 |
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