| 专利名称 | 基于X射线曝光技术制作透光纳米压印模板的方法 | 申请号 | CN200810100954.4 | 专利类型 | 发明专利 | 公开（公告）号 | CN101520600 | 公开（授权）日 | 2009.09.02 | 申请（专利权）人 | 中国科学院微电子研究所 | 发明（设计）人 | 刘兴华;徐德钰;朱效立;谢常青;刘明 | 主分类号 | G03F7/00(2006.01)I | IPC主分类号 | G03F7/00(2006.01)I;G03F7/16(2006.01)I;G03F7/42(2006.01)I | 专利有效期 | 基于X射线曝光技术制作透光纳米压印模板的方法 至基于X射线曝光技术制作透光纳米压印模板的方法 | 法律状态 | 实质审查的生效 | 说明书摘要 | 本发明公开了一种基于X射线曝光技术制作透光纳米压印模板的 方法，透明纳米压印模板是由电子束光刻制成纳米X射线曝光模版， 该方法通过X射线曝光，将纳米图形转移到不导电的石英作为衬底的 光刻胶上，显影后通过蒸发金属、剥离工艺，得到石英衬底上的金属 纳米图形，将金属作为阻挡层使用反应离子刻蚀石英，得到石英上的 纳米图形，去除金属完成透光纳米压印模板的制作。本发明解决了无 法在不导电的衬底上电子束光刻得到高分辨率图形的问题。同时，本 发明实现了透光纳米压印模板，为纳米压印提供了方便的对准手段， 使紫外固化纳米压印成为可能。 |
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