| 专利名称 | 一种在蓝宝石衬底上生长非极性GaN厚膜的方法 | 申请号 | CN200810100953.X | 专利类型 | 发明专利 | 公开（公告）号 | CN101519799 | 公开（授权）日 | 2009.09.02 | 申请（专利权）人 | 中国科学院半导体研究所 | 发明（设计）人 | 魏同波;段瑞飞;霍自强;王军喜;曾一平;李晋闽 | 主分类号 | C30B29/38(2006.01)I | IPC主分类号 | C30B29/38(2006.01)I;C30B29/40(2006.01)I;C30B25/18(2006.01)I | 专利有效期 | 一种在蓝宝石衬底上生长非极性GaN厚膜的方法 至一种在蓝宝石衬底上生长非极性GaN厚膜的方法 | 法律状态 | 实质审查的生效 | 说明书摘要 | 本发明提供了一种在蓝宝石衬底上生长非极性GaN外延层的制备方 法，以m面蓝宝石为衬底，用磁控溅射方法沉积ZnO缓冲层，再用氢化 物气相外延方法生长低温GaN保护层，之后升温到高温，在NH3气氛中 退火，最后使用氢化物气相外延快速生长GaN厚膜。本发明的非极性m 面GaN厚膜可用于GaN的同质外延生长以及非极性LED、LD等光电器 件的制备。 |
1、源头对接，价格透明
2、平台验证，实名审核
3、合同监控，代办手续
4、专员跟进，交易保障