| 专利名称 | 一种近红外光致发光薄膜及其制备方法 | 申请号 | CN201010621929.8 | 专利类型 | 发明专利 | 公开（公告）号 | CN102140348A | 公开（授权）日 | 2011.08.03 | 申请（专利权）人 | 中国科学院化学研究所 | 发明（设计）人 | 姚建年;詹传郎;曾怡 | 主分类号 | C09K11/88(2006.01)I | IPC主分类号 | C09K11/88(2006.01)I;H01L31/0296(2006.01)I;C08L29/04(2006.01)I;C08L39/06(2006.01)I;C08L33/12(2006.01)I | 专利有效期 | 一种近红外光致发光薄膜及其制备方法 至一种近红外光致发光薄膜及其制备方法 | 法律状态 | 实质审查的生效 | 说明书摘要 | 本发明公开了一种用于单晶硅太阳能电池的光致发光薄膜及其制备方法。该薄膜包括半导体纳米材料，所述半导体纳米材料为MxAyB1-y纳米晶或由MxAyB1-y纳米晶形成的核壳微粒，其中，M为Cd、Zn、Ag或Pb，A和B均为S、Se或Te，x为1或2，y为0或1。本发明还提供了上述薄膜的两种制备方法，既可直接将半导体纳米材料通过制膜技术制备成光致发光薄膜，也可将半导体纳米材料的前体所对应的氧化物和金属单质制备成膜，再通过原位煅烧制备成光致发光薄膜。本发明制备的光致发光薄膜可以将350-700nm的可见光转换为500-1500nm的近红外光，可较大幅度地增强单晶硅太阳能电池的光电转换效率。 |
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