| 专利名称 | 具有H型栅的射频SOI LDMOS器件 | 申请号 | CN200810057936.2 | 专利类型 | 发明专利 | 公开（公告）号 | CN101515588 | 公开（授权）日 | 2009.08.26 | 申请（专利权）人 | 中国科学院微电子研究所 | 发明（设计）人 | 刘梦新;毕津顺;范雪梅;赵超荣;韩郑生;刘刚 | 主分类号 | H01L27/12(2006.01)I | IPC主分类号 | H01L27/12(2006.01)I;H01L23/522(2006.01)I;H01L29/786(2006.01)I;H01L21/84(2006.01)I;H01L21/336(2006.01)I;H01L21/28(2006.01)I;H01L21/265(2006.01)I | 专利有效期 | 具有H型栅的射频SOI LDMOS器件 至具有H型栅的射频SOI LDMOS器件 | 法律状态 | 授权 | 说明书摘要 | 本发明涉及射频功率器件领域，公开了一种具有H型栅的射频SOI L DMOS器件，包括底层硅、隐埋氧化层、顶层硅、P-区、N-区、H 型栅氧化层、H型多晶硅栅层、H型栅多晶硅化物层、栅电极、氮化 硅侧墙、N-漂移区、漏区、漏区硅化物层、漏电极、源区、体引出区、 源区硅化物层、源电极。本发明将射频LDMOS器件制作于SOI衬底 之上，利用与P-区同型的重掺杂区域形成与源区短接的体引出；源/ 体、漏/体以及栅与各自电极间利用硅化物互联；采用多根H型栅条叉 指形式并联以增大器件驱动能力。同时公开了与CMOS工艺兼容的调 正、背栅注入、N-区注入以及N-漂移区注入方法，以及与CMOS工 艺兼容的N-漂移区硅化物掩蔽方法。 |
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