| 专利名称 | 制备超结VDMOS器件的方法 | 申请号 | CN200810057881.5 | 专利类型 | 发明专利 | 公开（公告）号 | CN101515547 | 公开（授权）日 | 2009.08.26 | 申请（专利权）人 | 中国科学院微电子研究所 | 发明（设计）人 | 蔡小五;海潮和;陆江;王立新 | 主分类号 | H01L21/336(2006.01)I | IPC主分类号 | H01L21/336(2006.01)I | 专利有效期 | 制备超结VDMOS器件的方法 至制备超结VDMOS器件的方法 | 法律状态 | 授权 | 说明书摘要 | 本发明公开了一种制备超结VDMOS器件的方法，包括：在衬底 上外延生长体硅，场区氧化形成场区氧化层；刻蚀形成有源区，在有 源区氧化，LPCVD淀积多晶硅，光刻形成栅氧化层，等离子刻蚀多晶 硅和氧化层形成栅氧化层；光刻P-区，淡硼注入，形成P阱区，光刻 P+区，浓硼注入，形成P-体区；淀积氮化硅硬掩模层，氮化硅光刻， 高能硼注入，形成外延层中的P-柱；高温推进，使结深控制在Xjp＝2μm； 光刻并进行浓磷注入，对多晶硅和器件源区进行掺杂，形成VDMOS 器件源区，通过扩散形成器件有效的MOS沟道区；PECVD淀积硼磷 硅玻璃，850度半小时回流；光刻与刻蚀接触孔，淀积金属层，形成金 属布线层，合金，进行背面处理。 |
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