| 专利名称 | 在硅衬底上生长的氮化镓薄膜结构及其生长方法 | 申请号 | CN200810057890.4 | 专利类型 | 发明专利 | 公开（公告）号 | CN101515543 | 公开（授权）日 | 2009.08.26 | 申请（专利权）人 | 中国科学院半导体研究所 | 发明（设计）人 | 王晓亮;罗卫军;郭伦春;肖红领;李建平;李晋闽 | 主分类号 | H01L21/20(2006.01)I | IPC主分类号 | H01L21/20(2006.01)I;H01L23/00(2006.01)I | 专利有效期 | 在硅衬底上生长的氮化镓薄膜结构及其生长方法 至在硅衬底上生长的氮化镓薄膜结构及其生长方法 | 法律状态 | 实质审查的生效 | 说明书摘要 | 本发明公开了一种在硅衬底上生长氮化镓薄膜的方法，包括如下 步骤：选择硅衬底；采用金属有机物汽相外延方法，在硅衬底上生长 一层铝；在硅衬底上生长铝后生长一层氮化铝成核层；在该氮化铝成 核层上生长铝和氮化铝的超晶格；在铝和氮化铝的超晶格上生长四层 氮化镓层；在氮化镓生长过程中，降低温度，插入三层氮化铝层；最 后改变生长室气压，生长一层氮化镓层。利用本发明，通过控制生长 条件，如温度、压力以及生长氮化镓的缓冲层结构设计方面的改进， 在硅衬底上外延生长出了氮化镓薄膜。 |
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