| 专利名称 | HVPE方法生长GaN膜中使用的多孔材料衬底及方法 | 申请号 | CN200910046387.3 | 专利类型 | 发明专利 | 公开（公告）号 | CN101514484 | 公开（授权）日 | 2009.08.26 | 申请（专利权）人 | 中国科学院上海微系统与信息技术研究所 | 发明（设计）人 | 于广辉;王新中;林朝通;曹明霞;卢海峰;李晓良;巩航;齐鸣;李爱珍 | 主分类号 | C30B25/18(2006.01)I | IPC主分类号 | C30B25/18(2006.01)I;C30B29/20(2006.01)I | 专利有效期 | HVPE方法生长GaN膜中使用的多孔材料衬底及方法 至HVPE方法生长GaN膜中使用的多孔材料衬底及方法 | 法律状态 | 专利申请权、专利权的转移 | 说明书摘要 | 本发明涉及一种氢化物气相外延(HVPE)氮化镓(GaN)膜中使用的纳 米多孔材料衬底及其制备方法，其特征在于采用复合纳米多孔材料作为厚膜 GaN外延生长的衬底，改善晶体质量，同时方便衬底的剥离。先在以Si为衬 底的GaN模板上沉积一层金属Al薄层，经电化学的方法形成均匀的多孔网 状阳极氧化铝(AAO)，再采用诱导耦合等离子体刻蚀(ICP)等技术，刻蚀 得到多孔GaN材料，孔的底部露出Si衬底表面；在此基础上采用腐蚀方法， 实现对Si的腐蚀并获得复合纳米多孔结构；通过表面处理，使得Si的表面 覆盖SiNx或者SiO2层，以满足后续的外延生长需求。经清洗后，再放入HVPE 系统中生长厚膜GaN层。大大简化了光刻制作掩膜的工艺，适合于科学实验 和批量生产时采用。 |
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