| 专利名称 | 一种电子束曝光散射参数的提取方法 | 申请号 | CN200910080196.9 | 专利类型 | 发明专利 | 公开（公告）号 | CN101510050 | 公开（授权）日 | 2009.08.19 | 申请（专利权）人 | 中国科学院微电子研究所 | 发明（设计）人 | 赵珉;陈宝钦;刘明;牛洁斌 | 主分类号 | G03F7/00(2006.01)I | IPC主分类号 | G03F7/00(2006.01)I;G03F7/16(2006.01)I;G03F7/20(2006.01)I;G03F7/26(2006.01)I | 专利有效期 | 一种电子束曝光散射参数的提取方法 至一种电子束曝光散射参数的提取方法 | 法律状态 | 实质审查的生效 | 说明书摘要 | 本发明涉及一种电子束曝光散射参数的提取方法。为了解决现有电子束曝 光散射参数提取方法中操作繁琐且难以保证准确性的问题，本发明提供一种电 子束曝光散射参数的提取方法，该方法根据所要进行参数提取的电子束抗蚀剂 及衬底结构特性设计出合适的前散射参数α、背散射参数β以及背散射与前散 射沉积能量之比η的提取版图；然后在待测的电子抗蚀剂及衬底结构上分别对 三种设计的版图进行变剂量的电子束直写曝光；最后根据多组不同参数曝光、 显影及剥离后的图形结构特征确定一组合适的散射参数。本发明无需进行大量 烦琐的测量，因此不存在测量误差，并减少了由于数学处理带来的误差，使参 数提取准确且简单易行。 |
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