| 专利名称 | 一种在铝酸锂衬底上生长非极性a面GaN薄膜的方法 | 申请号 | CN200910046585.X | 专利类型 | 发明专利 | 公开（公告）号 | CN101509145 | 公开（授权）日 | 2009.08.19 | 申请（专利权）人 | 上海蓝光科技有限公司;彩虹集团公司;中国科学院上海光学精密机械研究所;上海半导体照明工程技术研究中心 | 发明（设计）人 | 周健华;潘尧波;颜建锋;郝茂盛;周圣明;杨卫桥;李抒智;马可军 | 主分类号 | C30B29/38(2006.01)I | IPC主分类号 | C30B29/38(2006.01)I;C30B29/40(2006.01)I;C30B25/18(2006.01)I;H01L21/205(2006.01)I | 专利有效期 | 一种在铝酸锂衬底上生长非极性a面GaN薄膜的方法 至一种在铝酸锂衬底上生长非极性a面GaN薄膜的方法 | 法律状态 | 实质审查的生效 | 说明书摘要 | 一种在铝酸锂(302)面衬底上生长非极性a(11-20)面GaN薄膜的方法，在金属有机物化学 气相淀积(MOCVD)系统中，在铝酸锂(LiAlO2)(302)面衬底上，在N2保护下，升温到 800-950℃，在氮气气氛下生长低温保护层，低温保护层反应室压力为150-500torr，三甲基镓 (TMGa)流量为1-50sccm，对应于摩尔流量：4E-6mole/min-3E-4mole/min；然后降低压力 至100-300torr，升温到1000-1100℃在氮气气氛下继续生长非掺杂氮化镓(U-GaN)层，TMGa 流量为10-150sccm，对应于摩尔流量：4E-5mol/min-7.5E-4mole/min；然后再升温到 1050-1150℃，在氢气气氛下生长高温U-GaN约1um，TMGa流量为20-200sccm，对应于摩尔 流量：8E-5mol/min-1E-3mole/min。本发明的创新点在于根据铝酸锂(302)面衬底的特点，设 计了一套新的外延工艺，使得所生长的外延薄膜具有更高质量、更具有实用性。 |
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