| 专利名称 | 掺钕硼钼酸镧激光晶体及其制备方法 | 申请号 | CN200810070570.2 | 专利类型 | 发明专利 | 公开（公告）号 | CN101498044 | 公开（授权）日 | 2009.08.05 | 申请（专利权）人 | 中国科学院福建物质结构研究所 | 发明（设计）人 | 王国富;赵旺;林州斌;张莉珍 | 主分类号 | C30B29/32(2006.01)I | IPC主分类号 | C30B29/32(2006.01)I;C30B15/00(2006.01)I;H01S3/16(2006.01)I | 专利有效期 | 掺钕硼钼酸镧激光晶体及其制备方法 至掺钕硼钼酸镧激光晶体及其制备方法 | 法律状态 | 实质审查的生效 | 说明书摘要 | 掺钕硼钼酸镧激光晶体及其制备方法，属于人工晶体领域。该激光晶体属 于单斜晶系，分子式为Nd3+:LaBMoO6，Nd3+掺杂浓度在0.5at.-15at.％之间。该 激光晶体采用提拉法生长，生长温度1090℃，晶体转速10～30转/分钟，拉速0.5～1 毫米/小时。该晶体是一种新型的激光晶体，可产生1060nm和900nm左右波长 的激光输出。本发明制备工艺简单、生长速度快、成本低廉；所生长晶体具有 硬度大、组分均匀、尺寸大和光学质量好的优点。 |
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