| 专利名称 | 一种氮化铝锥尖及栅极结构的制作方法 | 申请号 | CN200810056965.7 | 专利类型 | 发明专利 | 公开（公告）号 | CN101497991 | 公开（授权）日 | 2009.08.05 | 申请（专利权）人 | 中国科学院物理研究所 | 发明（设计）人 | 顾长志;李云龙;李俊杰;时成瑛;金爱子;罗强;杨海方 | 主分类号 | C23C14/35(2006.01)I | IPC主分类号 | C23C14/35(2006.01)I;C23C14/02(2006.01)I;B08B3/12(2006.01)I;C23C14/06(2006.01)I;C23C14/14(2006.01)I;C23C14/54(2006.01)I | 专利有效期 | 一种氮化铝锥尖及栅极结构的制作方法 至一种氮化铝锥尖及栅极结构的制作方法 | 法律状态 | 实质审查的生效 | 说明书摘要 | 本发明涉及一种氮化铝锥尖及其栅极锥尖结构的制备方法，该方法包 括以下步骤：利用射频磁控溅射方法在干净的硅衬底上生长一层氮化铝薄 膜或再沉积一层金膜，然后放入到聚焦离子束刻蚀系统中，当真空度达5.5 ×10-5mbar时，加5kV电子束高压，进行样品形貌观察和定位，再加离 子束源和设置束流，最后设置刻蚀图样，并按照刻蚀图样对氮化铝薄膜样 品进行聚焦离子束刻蚀，得到氮化铝锥尖3结构或栅极锥尖结构，所制备 的氮化铝锥尖3结构的单个锥的长径比在(3-30)∶1之间，尖部最小曲率半 径低于20纳米，底部直径为100纳米到几微米。该方法可以制备出长径 比可控的氮化铝锥尖及其栅极锥尖结构，省去了传统工艺中必须的沉积绝 缘层和光刻等多道工序，工艺简单和成本低。 |
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