| 专利名称 | 钨钛合金纳米晶浮栅结构及其制备方法 | 申请号 | CN200910078478.5 | 专利类型 | 发明专利 | 公开（公告）号 | CN101494237 | 公开（授权）日 | 2009.07.29 | 申请（专利权）人 | 中国科学院微电子研究所 | 发明（设计）人 | 刘明;杨仕谦;王琴;龙世兵 | 主分类号 | H01L29/49(2006.01)I | IPC主分类号 | H01L29/49(2006.01)I;H01L21/28(2006.01)I | 专利有效期 | 钨钛合金纳米晶浮栅结构及其制备方法 至钨钛合金纳米晶浮栅结构及其制备方法 | 法律状态 | 授权 | 说明书摘要 | 本发明公开了一种用于快闪存储器的钨钛合金纳米晶浮栅结构，属于微电子技术 领域。该结构包括硅衬底，以及在所述硅衬底上依次覆盖的氧化硅层、高介电常数薄 膜、钨钛合金纳米晶电荷存储层、阻挡层以及栅材料层。本发明的结构提高了浮栅结 构的非挥发性存储单元的编程/擦除效率、编程/擦除(P/E)速度、有效电荷存储能力、 数据保持特性、编程/擦除耐受性等存储性能。本发明同时公开了一种制作钨钛合金纳 米晶浮栅结构的方法。本发明的方法简便，并兼容于传统CMOS硅平面工艺。 |
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