| 专利名称 | 存储器及其制作方法 | 申请号 | CN200910078245.5 | 专利类型 | 发明专利 | 公开（公告）号 | CN101494225 | 公开（授权）日 | 2009.07.29 | 申请（专利权）人 | 中国科学院微电子研究所 | 发明（设计）人 | 刘明;王琴;胡媛;郭婷婷 | 主分类号 | H01L27/115(2006.01)I | IPC主分类号 | H01L27/115(2006.01)I;H01L29/788(2006.01)I;H01L21/8247(2006.01)I;H01L21/31(2006.01)I | 专利有效期 | 存储器及其制作方法 至存储器及其制作方法 | 法律状态 | 实质审查的生效 | 说明书摘要 | 本发明公开了一种冠状势垒复合隧穿层的纳米晶浮栅非易失存储器， 包括：硅衬底，在硅衬底上重掺杂的源导电区和漏导电区，在源、漏导电 区之间的载流子沟道上覆盖的由高k材料介质/SiO2材料介质/高k材料介 质组成的复合隧穿层，在复合隧穿层上覆盖的纳米晶浮栅层、在纳米晶浮 栅层上覆盖的高k材料或SiO2材料控制栅介质层，和在控制栅介质层上覆 盖的栅材料层。同时公开了一种制作上述存储器的方法。利用本发明，综 合改善了浮栅非易失存储器的存储性能，提高了编程/擦除速度和耐受性、 数据保持特性，降低了编程/擦除电压和操作功耗，折衷了编程/擦除效率 和数据保持的矛盾，提高了集成度，并且制作工艺简单，降低了制作成本。 |
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