| 专利名称 | 低压低功耗、高密度相变存储器单元阵列的制备方法 | 申请号 | CN200910045929.5 | 专利类型 | 发明专利 | 公开（公告）号 | CN101494196 | 公开（授权）日 | 2009.07.29 | 申请（专利权）人 | 中国科学院上海微系统与信息技术研究所 | 发明（设计）人 | 宋志棠;冯高明;钟旻;刘波;封松林 | 主分类号 | H01L21/82(2006.01)I | IPC主分类号 | H01L21/82(2006.01)I;H01L27/24(2006.01)I;H01L45/00(2006.01)I;G11C11/56(2006.01)I;H01L21/027(2006.01)I;B82B3/00(2006.01)I | 专利有效期 | 低压低功耗、高密度相变存储器单元阵列的制备方法 至低压低功耗、高密度相变存储器单元阵列的制备方法 | 法律状态 | 实质审查的生效 | 说明书摘要 | 本发明提供的低压低功耗、高密度相变存储器单元阵列的制备方法，其首先利用CVD技 术在衬底上依次沉积第一介质材料层、相变材料层、第二介质材料层，然后利用90nm以下 CMOS工艺标准曝光技术或电子束曝光技术在已形成的结构上制备纳米图形，并利用RIE将 其干法刻蚀成纳米柱状结构，接着再利用CVD技术在纳米柱状结构上沉积一绝缘层，并利用 化学机械抛光技术将其磨平至所述第二介质材料层，接着利用CVD技术在已磨平的结构上沉 积作为上电极材料的金属层，最后利用90nm以下CMOS工艺标准曝光技术或电子束曝光技 术在金属层上刻蚀形成纳米上电极图形以得到纳米相变存储单元阵列，如此可制备出100nm 以下的高密度低功耗的纳米相变存储单元阵列。 |
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