| 专利名称 | 用于相变存储器的Si-Sb-Se相变薄膜材料 | 申请号 | CN200910046486.1 | 专利类型 | 发明专利 | 公开（公告）号 | CN101488557 | 公开（授权）日 | 2009.07.22 | 申请（专利权）人 | 中国科学院上海微系统与信息技术研究所 | 发明（设计）人 | 凌云;龚岳峰;宋志棠;封松林 | 主分类号 | H01L45/00(2006.01)I | IPC主分类号 | H01L45/00(2006.01)I;G11C11/56(2006.01)I;C22C12/00(2006.01)I | 专利有效期 | 用于相变存储器的Si-Sb-Se相变薄膜材料 至用于相变存储器的Si-Sb-Se相变薄膜材料 | 法律状态 | 实质审查的生效 | 说明书摘要 | 本发明揭示了一种用于相变存储器的Si-Sb-Se相变薄膜材料，其组分为SicSbaSeb，其中， 48≤b≤60，20≤a≤40，8≤c≤40，a+b+c＝100；或60≤b≤80，20≤a≤40，3≤c≤ 20，a+b+c＝100。与现有技术相比，本发明所述的Si-Sb-Se相变薄膜材料比常用的Ge2Sb2Te5 材料具有更快的结晶速度，可以有更快的读写速度，有着更好的数据保持特性，有着比SbSe 两元材料更好的热稳定性。同时该材料不含元素Te，是一种环境友好材料，与CMOS工艺兼 容性好。 |
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