| 专利名称 | 电阻转换存储器 | 申请号 | CN200910046487.6 | 专利类型 | 发明专利 | 公开（公告）号 | CN101488514 | 公开（授权）日 | 2009.07.22 | 申请（专利权）人 | 中国科学院上海微系统与信息技术研究所 | 发明（设计）人 | 张挺;宋志棠;刘波;封松林;陈邦明 | 主分类号 | H01L27/24(2006.01)I | IPC主分类号 | H01L27/24(2006.01)I;H01L21/762(2006.01)I;G11C16/02(2006.01)I | 专利有效期 | 电阻转换存储器 至电阻转换存储器 | 法律状态 | 实质审查的生效 | 说明书摘要 | 本发明揭示一种电阻转换存储器，包括选通单元、数据存储单元；所述选通 单元为PN二极管、或肖特基二极管、或双极型晶体管；所述电阻转换存储器采用 的选通单元被至少两个深度不同的浅沟道相互隔离开。本发明提供几种电阻转换 存储器的器件结构，包括了PN二极管、肖特基二极管和双极型晶体管的器件结 构，这些结构的特点在于构造简单，因此其制造方法简便，且与半导体工艺完全 兼容，有助于降低成本，使采用该技术的高密度电阻转换存储器更具竞争力。 |
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