| 专利名称 | 一种厚膜氮化镓与衬底蓝宝石自剥离的实现方法 | 申请号 | CN200910046376.5 | 专利类型 | 发明专利 | 公开（公告）号 | CN101488475 | 公开（授权）日 | 2009.07.22 | 申请（专利权）人 | 中国科学院上海微系统与信息技术研究所 | 发明（设计）人 | 王新中;于广辉;林朝通;曹明霞;卢海峰;李晓良;巩航;齐鸣;李爱珍 | 主分类号 | H01L21/78(2006.01)I | IPC主分类号 | H01L21/78(2006.01)I;H01L21/20(2006.01)I;H01L21/3065(2006.01)I;H01L21/311(2006.01)I;C01G15/00(2006.01)I | 专利有效期 | 一种厚膜氮化镓与衬底蓝宝石自剥离的实现方法 至一种厚膜氮化镓与衬底蓝宝石自剥离的实现方法 | 法律状态 | 授权 | 说明书摘要 | 本发明涉及一种厚膜氮化镓与衬底蓝宝石自剥离的实现方法，其特征在 于采用了带有钝化层超大纳米孔径GaN作为厚膜的模板。在生长厚膜GaN之 前，在(0001)面蓝宝石衬底上，沉积一层GaN薄膜，然后在其上蒸发一层金属 Al，再采用电化学的方法生成多孔状阳极氧化铝(AAO)，然后将其刻蚀成 多孔状，接着往多孔GaN孔中沉积一层介质SiO2或SiNx薄层，这样就在GaN 模板上得到了带有钝化层超大纳米孔径的结构，经过清洗后，最后把这个多 孔衬底置于HVPE反应腔内生长GaN厚膜。本发明提供的方法避免了光刻制 作掩膜的复杂工艺，而且将孔隙尺寸缩小到纳米量级，金属Al和SiO2层均 可采用电子束蒸发、溅射等方法来制备。 |
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