| 专利名称 | 一种<111>织构纳米孪晶Cu块体材料及制备方法 | 申请号 | CN201010278047.6 | 专利类型 | 发明专利 | 公开（公告）号 | CN102400188A | 公开（授权）日 | 2012.04.04 | 申请（专利权）人 | 中国科学院金属研究所 | 发明（设计）人 | 金帅;尤泽升;卢磊 | 主分类号 | C25D3/38(2006.01)I | IPC主分类号 | C25D3/38(2006.01)I | 专利有效期 | 一种<111>织构纳米孪晶Cu块体材料及制备方法 至一种<111>织构纳米孪晶Cu块体材料及制备方法 | 法律状态 | 实质审查的生效 | 说明书摘要 | 本发明涉及纳米结构金属材料领域，具体地说是一种<111>织构纳米孪晶Cu块体材料及制备方法，其微观结构由柱状晶粒组成，晶粒尺寸在1-50微米范围内，各晶粒内部均匀分布着高密度的纳米孪晶片层结构，孪晶片层的厚度从30纳米到几百纳米不等。结构特点：<111>织构，柱状晶粒，小角晶界；垂直于生长方向的纳米尺寸孪晶片层，∑3共格孪晶界面；晶粒尺寸、孪晶片层可控生长，块体，其强度可达到粗晶铜的10倍。本发明利用传统的直流电解沉积技术，只需对工艺条件稍作改变，控制适当的镀液组成和沉积参数即可。本发明可解决现有技术中铜材料存在的性能问题，获得的铜材料性能优良，具有高强度的同时，具有高热稳定性、高导电性和塑性。 |
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