| 专利名称 | 碲镉汞材料富汞制备技术所需高压保护性气体的控制方法 | 申请号 | CN200810204569.4 | 专利类型 | 发明专利 | 公开（公告）号 | CN101481823 | 公开（授权）日 | 2009.07.15 | 申请（专利权）人 | 中国科学院上海技术物理研究所 | 发明（设计）人 | 张传杰;杨建荣;魏彦锋;徐庆庆 | 主分类号 | C30B29/48(2006.01)I | IPC主分类号 | C30B29/48(2006.01)I;C30B27/00(2006.01)I | 专利有效期 | 碲镉汞材料富汞制备技术所需高压保护性气体的控制方法 至碲镉汞材料富汞制备技术所需高压保护性气体的控制方法 | 法律状态 | 实质审查的生效 | 说明书摘要 | 本发明公开了一种碲镉汞材料富汞制备技术所需的高压保护性气体控制 方法，其特征是：热处理系统内的气体压力由进气压力控制器，同时在系统的 出气气路中在接入一个出气压力控制器，并跟着接入一个气体质量流量计，这 样，当系统的气体压力小于设定值时，进气压力控制器自动给系统增压，直至 平衡，而当系统加热或温度波动导致系统内压力超过设定值时，进气压力控制 器自动关闭，气体将通过出气压力控制器和质量流量计排出，压力随之下降。 该控制方法的优点是，既保持了半导体材料热处理所需要的气体流动性，同时 又能保持了系统压力的稳定性和安全性，满足了碲镉汞材料富汞制备技术对保 护性气体控制的技术要求。 |
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