| 专利名称 | 包含夹层的相变存储器及制作方法 | 申请号 | CN200910045870.X | 专利类型 | 发明专利 | 公开（公告）号 | CN101478030 | 公开（授权）日 | 2009.07.08 | 申请（专利权）人 | 中国科学院上海微系统与信息技术研究所 | 发明（设计）人 | 刘波;宋志棠;张挺;封松林 | 主分类号 | H01L45/00(2006.01)I | IPC主分类号 | H01L45/00(2006.01)I;G11C11/56(2006.01)I | 专利有效期 | 包含夹层的相变存储器及制作方法 至包含夹层的相变存储器及制作方法 | 法律状态 | 实质审查的生效 | 说明书摘要 | 本发明涉及包含夹层的相变存储器单元及制作方法，其特征在于在电极 材料层与相变材料层之间添加单质金属夹层的结构，所述的单质金属夹层的 厚度小于10nm。所述的添加单质金属夹层为下述三种结构中的任一种：① 单质金属夹层位于下电极层和相变材料层之间；②单质金属夹层位于相变材 料层和上电极层之间；③单质金属的第一夹层位于下电极层和相变材料层之 间，单质金属的第二夹层位于相变材料层和上电极层之间，且第一夹层和第 二夹层的单质金属组分和厚度可相同或不相同，由于夹层的引入能够提高相 变材料的结晶速度、降低相变材料的熔点，与传统的相变存储器结构相比， 包含夹层的相变存储器具有较高编程速度和较低的编程功耗。 |
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