| 专利名称 | 三维立体堆叠的电阻转换存储器及其制造方法 | 申请号 | CN200910045084.X | 专利类型 | 发明专利 | 公开（公告）号 | CN101477987 | 公开（授权）日 | 2009.07.08 | 申请（专利权）人 | 中国科学院上海微系统与信息技术研究所 | 发明（设计）人 | 张挺;宋志棠;刘波;封松林;陈邦明 | 主分类号 | H01L27/10(2006.01)I | IPC主分类号 | H01L27/10(2006.01)I;H01L21/82(2006.01)I;H01L45/00(2006.01)I;G11C11/56(2006.01)I | 专利有效期 | 三维立体堆叠的电阻转换存储器及其制造方法 至三维立体堆叠的电阻转换存储器及其制造方法 | 法律状态 | 实质审查的生效 | 说明书摘要 | 本发明揭示一种三维立体堆叠的电阻转换存储器及其制造方法。电阻转换存储器包括基 底、若干第一布线、若干第二布线、若干存储单元阵列。多个平行设置的第一布线设置于基 底上；多个相互平行的第二布线设置于基底上、与第一布线绝缘分离、并与第一布线交叉配 置；呈矩阵排列的存储单元阵列层叠设置于基底上，上下相邻的两个存储单元阵列之间、存 储单元阵列与基底之间至少设置第一布线、第二布线中的一个；存储单元阵列包括电阻转换 存储单元、多晶半导体肖特基二极管。本方法可形成高质量的金属-半导体接触，成本较低， 有望在三维高密度、低成本的固态存储器的竞争中获得较大优势。 |
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