| 专利名称 | 纳米尺寸超导热电子测辐射热仪的制备方法 | 申请号 | CN200910045670.4 | 专利类型 | 发明专利 | 公开（公告）号 | CN101476940 | 公开（授权）日 | 2009.07.08 | 申请（专利权）人 | 中国科学院上海微系统与信息技术研究所 | 发明（设计）人 | 尤立星;杨晓燕 | 主分类号 | G01J5/10(2006.01)I | IPC主分类号 | G01J5/10(2006.01)I;B82B3/00(2006.01)I;B81C1/00(2006.01)I | 专利有效期 | 纳米尺寸超导热电子测辐射热仪的制备方法 至纳米尺寸超导热电子测辐射热仪的制备方法 | 法律状态 | 实质审查的生效 | 说明书摘要 | 本发明公开了一种纳米尺寸超导热电子测辐射热仪(SHEB)制备方法， 包括以下步骤：(1)超薄超导薄膜准备；(2)电极制作；(3)广义微桥形成； (4)纳米尺寸桥区形成。其特征是：在(4)中，采用原子力显微镜纳米刻 蚀方法构造纳米尺寸桥区。本发明的优点是：采用原子力显微镜纳米刻蚀方 法可以实现纳米尺寸的微桥。其桥区长度由AFM纳米刻蚀所形成的纳米线 条的宽度所决定。而纳米线条的宽度由AFM针尖电压、周围环境的湿度、 温度以及电场作用时间等参数所控制。该方法可以减小SHEB的有效尺寸， 适用于各种不同纳米尺寸的SHEB制备。 |
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